于徐佑来说,这些信息已经足够了。
在深度思考中,徐佑可以根据黄思白提供的信息,反推出更多有用的信息。
经过不断的模拟、计算、推演后,徐佑距离整套完善的EUV光刻机技术,已经越来越近了。
包括硅片的表面清洗烘干、涂底、旋转光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等等多道工序,不断在徐佑的脑海中重演着。
不知经历了多少次的推演,徐佑还是没有根据自己大脑中模拟的EUV光刻机,成功生产出合格的高精度芯片。
“不行……EUV光源的技术,还没有很好的解决。”
在EUV光刻机中,EUV光源无疑是最核心的设备。
想要让光刻机高效的工作,需要有足够亮的EUV光源才行。
在EUV光源方面,黄思白提供了一些技术,但并没有彻底的解决问题。
“等一下……极紫外辐射的光谱,似乎还有继续优化的空间!”
这时,徐佑突然注意到。
在正常的激光最佳聚焦位置下,入射激光能量和等离子体之间缺乏有效的耦合。
而其中的原因,是因为在最佳聚焦位置处,聚焦光斑尺寸较小,激光聚焦锥角也较小,等离子体吸收的能量会局限在中轴附近,影响等离子体对激光能量的吸收。
换句话说,所谓的“激光最佳聚焦位置”,很可能并不是EUV光谱强度最强的位置。
“如果调整一下聚焦光斑的尺寸……情况就会有所不同了。”
按照徐佑的理论,当聚焦光斑尺寸略微增大时,激光聚焦锥角也会跟着增大。
这样一来,激光能量会有效地分布在整个等离子体的前沿,等离子体可以有效地吸收激光能量,减少能量的损失。
当然,聚焦光斑尺寸不可以增大过多,否则的话,就会起到适得其反的效果了。
只是,虽然徐佑有了这些推论,但仅仅依靠自己的算力,是很难在有限的时间内,找到最佳的聚焦光斑尺寸的。
好在,徐佑可以依靠算经强大的算力,来大大提高自己的计算速度。
经过多次的计算,徐佑总算找到了EUV光谱强度最强的位置。
更换了新的EUV光源装置后,徐佑重新进行光刻机工作流程的推演。
正如徐佑所料想的一样,当光源的亮度大大增加后,光刻机的工作效率,也跟着提高了不少。