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第187章 歹毒的阴谋(2 / 4)

友好”——仅这一个借口就足以。  然后再发动疯狂的制裁和封堵。  但这些绅士们拿着放大镜搜寻一圈后,才发现能遏制星海科技的地方相当之少。  小星二代学习机的国产化率接近100%。  除了部分闪存芯片,因Z国国产厂商产能不足,70%的数量需要从三鑫公司进口。  这是星海科技身上唯一一个较为致命的漏洞。  甚至称不上“致命”,只是比较“重大”而已。  “切断,让三鑫公司立刻切断闪存芯片的供应,马上给星海科技断奶!让他们的智能学习机,陷入难以大批量产的窘境!”  遏制星海科技公司的任务,落到了寒国三鑫公司的手中。  面对“爸爸们”的要求,寒国人当然不敢不答应,三鑫公司社长李建荣点头哈腰地表示一定完成爸爸交代的任务,但挂掉电话后,马上就陷入了为难之中。  现在星海科技是三鑫的重要客户,下达的4GB容量LPDDR4X芯片订单超过1亿枚,价值上百亿,如果撕毁合同,中断供货,三鑫公司将损失数十亿。  而且Z国的紫光公司已经具备了量产LPDDR3芯片的能力,虽然产能很小、良品率极低,但耐不住Z国人财大气粗啊,几百亿一座的大型NAND存储工厂一建就是五六个,DDR内存芯片厂也一建三四座……让三鑫公司感受到了巨大竞争压力。  不过制造DDR芯片的技术要求比NAND存储芯片高的多,全世界掌握了NAND存储芯片制造的公司有六七家,但能造出DDR芯片的公司,只有三鑫、SK海力士、镁光这三家。  Z国的紫光公司虽然也算,但只成熟掌握了DDR3/LPDDR3的生产技术,比三鑫等公司的DDR4/DDR5乃至DDR6落后了两至三代……至少比最先进水平落后了十年。  良品率、生产效率也远远比不上三鑫那些大厂。  DDR芯片之所以技术难度高,在于这种用作内存的芯片,是CPU与存储介质(硬盘)之间的重要数据交互通道,它属于数据“易失性”存储介质,但数据吞吐能力极强。  比如一枚4GB的双通道DDR4芯片,它与CPU进行数据交互时的数据吞吐能力为20-35GB/S。  DDR5双通道芯片的数据吞吐能力超过40GB/S。  而“非易失性”的NAND存储芯片呢,它的读写能力少的100-800MB/S,高速NAND存储芯片可以达到1-3GB/S。  在数据处理能力上,两者相差了至少十倍。  故而DDR芯片比NAND芯片难生产的多,技术要求更加苛刻,良品率难以提升上去。  良品率上不去,但是可以多建几个厂啊,这样人

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