CMOS光学传感器过程中遇到暗电流噪声问题一样，后来教授通过一系列工艺设计来巧妙解决，并最终推出高性价比的CMOS光学传感器，从此一举奠定学术大牛地位。
现如今，孟怀英开发CMOS射频芯片，也遇到学术界公认的固有缺陷：功率过低。
“基于CMOS工艺来研发射频芯片，固有问题在于功率过小，它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比，目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此，不过我们团队成功开发出一次CMOS混合结构，从而能够解决功率过小问题，使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”
所谓CMOS混合结构，实际就是SiGeBiCMOS工艺，中文全称为：硅锗双极-互补金属氧化物半导体，这东西在功率上面相对还算勉强能接受，并且还完美继承CMOS工艺加工流程，成本也足够低廉，是一种很不错的半导体射频工艺技术。
SiGeBiCMOS工艺产品性能优点在于成本低，并且功率相对不错，甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代，一些不法分子以次充好，为了降低成本，便采用SiGeBiCMOS工艺T/R组件来制造相控阵雷达。
好吧，这只是开个玩笑而已，采用采用SiGeBiCMOS工艺制造的T/R组件功耗低、成本低、集成度高，被广泛用于T/R组件小型化和成本控制方面，其中以X波段相控阵雷达最有使用价值。
SiGeBiCMOS工艺的T/R组件不仅适用于X波段相控阵空天预警雷达，在Ka波段的T/R组件方面，因为集成度高、体积小，因此被运用于主动雷达导引头。
所谓主动雷达导引头，区别就在于美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之间，前者因为导引头研发时代的工艺水平限制，无法容纳雷达发射机及接收机，即便勉强上马，这种导引头最终也只能用于AIM-54上面。
直到固态电子及集成电路出现，雷达组件可以有望实现小型化，才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办，而这便是主动雷达导引头的作用。
美帝有了小型化的主动雷达导引头，所以搞出AIM-120这种神器，而共和国现在却只能捣鼓AIM-7家族改进而来的半主动雷达导引头：霹雳11。
这两种导弹之间有巨大地差距，要说这种代差，大概跟三代机与四代隐身机之间差不多，完全是吊打。
所以嘛....