有的时候，军用和民用之间差距真的很小，孟怀英原本只是为了实现CMOS射频芯片功率大，才弄出SiGeBiCMOS工艺，却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。
在孟怀英的SiGeBiCMOS工艺成功之际，由于当时射频芯片在607所的微波暗室进行测试，结果出来之后，便被607所大神们敏锐地发现其军用价值，这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。
主动雷达导引头发展历中，实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。
九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制，那时候是传统的“机扫-平板缝隙天线”雷达小型化而来，包括美国AIM-120、欧洲流星，以上这些皆如此。
相控阵主动雷达导引头，那都是在2000年之后才有所抬头，此时的砷化镓T/R组件小型化逐渐成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他们研制于2002年AAM-4B中距弹就采用相控阵主动导引头。
AAM-4B采用有源相控阵主动导引头，能够提高探测距离、抗干扰、在对一些雷达隐身目标的探测能力也还不错，这实用化速度甚至比他美爹都来的更快。
现在九十年代初期，607所要准备上马相控阵雷达主动导引头，汪正国也能表示：你们高兴便好。
上位面之所以是在2000年之后才开始有主动相控阵雷达头，是因为早期“机扫-平板缝隙天线”主动导引头发展足够成熟，毕竟那是美帝AIM-120证明过的道路，后来者也都争相效仿。
再有一点，砷化镓T/R组件的小型化一直到2000年之后才逐渐成熟，并且还要把成本控制下去，否则又如何能用于空空导弹这种一次性产品中。
至于现在，随着孟怀英提出SiGeBiCMOS工艺，一次性解决了生产成本和小型化两个问题，唯一不足之处是功率方面还是比不上砷化镓T/R组件。
但很多问题都要一分为二的看待，如果不和砷化镓T/R组件去比功率，转而和同时期的AIM-120、流星这些采用“机扫-平板缝隙天线”导引头相比，这两者功率其实相差不大。
国内目前才刚把半主动雷达导引头的课补上，主动雷达导引头技术完全还没想过，更不用说从别处去找技术参考。
607所在相控阵雷达上面有技术积累，现在正好找到比较合适的新型半导体工艺来生产适用于弹载导引头的T/R组件，那